產業發展署113年度預算案「工業技術升級輔導」項下新增辦理「異質整合晶片用關鍵材料輔導推動計畫」1億元，及「半導體異質整合封裝設備產業自主化計畫」1億5,000萬元，合共2億5,000萬元(計畫期程均為5年，113至118年)，以扶植國內產業發展關鍵材料與先進自主設備。經查：

(一)計畫內容概述

詢據產業發展署資料，未來新興應用之電子產品技術將以人工智慧(AI)及高效能運算(HPC)為主，系統應用產品則以伺服器及車用為發展重點，產品均需要先進製程製造之高算力晶片，惟近來先進製程成本快速上升，且瀕臨摩爾定律之極限，而三維單晶集成架構(N3XT)被視為後摩爾時代仍可持續維持半導體製程發展之技術方案之一；另HPC、先進封裝異質整合、高效能晶片、次微米感測晶片、車用、AI等應用需求需要高階傳輸用材料，但目前國際大廠仍未有符合規格之材料如：異質整合構裝用材料、半導體材料與原物料、射頻晶片模組關鍵材料技術、晶片整合之AI感測模組材料，且上述材料皆逐漸往異質整合技術演進。產業發展署因應產業趨勢及國內產業之需求，113年度預算案新增異質整合產業驅動相關計畫，以扶植業者發展關鍵材料與先進自主設備，計畫內容說明如下：。

1.異質整合晶片用關鍵材料輔導推動計畫：計畫全程5年，預估總經費8.52億元，113年度編列第1年經費1億元，辦理發展異質整合晶片用關鍵材料(包括：異質整合構裝用材料、半導體材料與原物料、射頻晶片模組關鍵材料技術、晶片整合之AI感測模組材料等)，建立國內材料自主能力，縮短進入障礙，避免材料受制於人，協助我國業者自主掌握影響良率之關鍵原物料，透過推動異質整合晶片用關鍵材料技術建置，加速推進國內材料產業，布局下世代高階前瞻晶片用材料，拓展新興應用機會與市場。

2.半導體異質整合封裝設備產業自主化計畫：計畫全程5年，預估總經費14.58億元，113年度編列第1年經費1.5億元，係針對終端客戶之異質整合封裝產線需求，媒合國內具潛力設備開發量能之業者，透過補助資源協助業者開發客戶所需設備，如晶圓製程、3D晶圓堆疊、高深寬比矽穿孔薄膜、矽穿孔蝕刻、矽光子封裝、元件測試等製程設備，並導入終端產線通過β-site測試驗證，通過品質驗證，逐步填補國內設備供應缺口，以提升異質整合封裝設備自主能力。

(二)允宜落實盤點國內相關設備及材料技術與技術領先國之差距暨缺口現況，妥善規劃計畫，以利達成扶植國內異質整合產業自主之目標

詢據產業發展署資料，國內產業目前在異質整合晶片之材料及設備等發展情形：1.尚無業者投入者，如：高頻寬通訊用半導體晶體材料(為半導體材料與原物料)及供應異質整合(如3D晶圓堆疊、矽光子封裝)設備；2.技術落後他國者，如：異質整合構裝材料技術(低熱膨脹與細線化製程之中介層材料)、射頻晶片模組關鍵材料技術(射頻晶片載板材料)、訊號增益材料(高頻寬EMI吸收封裝材料及電磁波吸收頻段)與晶片整合之AI感測模組材料等。另國內業者(台積電)已於111年10月成立3DFabric聯盟，以加速創新及完備3D IC之生態系統，提供開放平台，成員可共享技術、知識和資源，以加速3D晶片堆疊技術發展。

產業發展署辦理「異質整合晶片用關鍵材料輔導推動計畫」，推動業者發展異質整合構裝用材料等關鍵材料；另「半導體異質整合封裝設備產業自主化計畫」，推動國內設備業者開發終端客戶及支援晶片驅動臺灣產業創新方案自主化異質整合產線所需之關鍵設備，期於117年我國得以與技術領先國同步掌握相關供應鏈關鍵材料與設備。惟在世界各國競相投入半導體產業發展之情況下，我國異質整合產業相關設備、技術與材料之缺口暨能量與技術領先國尚有差距，允宜逐年盤點並妥善規劃辦理先後順序及短、中、長期目標，以利達成國內產業自主化與拓展新興應用機會與市場之計畫目標。

綜上，為因應半導體產業發展趨勢及國內產業之需求，產業發展署113年度預算案新增「異質整合晶片用關鍵材料輔導推動計畫」及「半導體異質整合封裝設備產業自主化計畫」合共編列2億5,000萬元，推動產業布局下世代高階前瞻晶片用材料與異質整合封裝先進設備自主化，以驅動異質整合產業蓬勃發展。允宜加強盤點國內相關設備及材料技術與技術領先國之差距暨缺口現況，妥善規劃計畫推動優先順序，以促進扶植國內異質整合產業自主目標之達成。