國研院114年度預算案「基礎科學研究計畫」編列9億4,729萬9千元、「前瞻晶片設計製造環境建置」編列1億7,887萬5千元、「下世代半導體基礎核心設施建置」編列1億5,479萬6千元、「打造台灣高階光學與半導體自主之精密光學系統研發基地計畫」編列1億1,893萬5千元、「離岸風機結構智慧防災監測平台建置」編列1億8,734萬1千元、「晶片驅動-晶創海外基地培育國際人才與先進製程IC設計人才培育計畫」編列8億8,200萬元及「晶片驅動-全台半導體相關軟硬體建置與資源共享計畫」編列23億元。經查：
(一)114年度預計購置多項成本逾1千萬元之科學儀器，臺灣半導體研究中心數量占比達8成
參據114年度國科會各項科技計畫，其中國研院所辦基礎科學研究計畫等列有購置成本逾1千萬元以上儀器設備之需求，計有32件、預計經費達36億2,197萬6千元(詳表1)，以臺灣半導體研究中心26件(數量占比81.25%)、所需經費28億8,529萬元(金額占比79.66%)最多，再依序為臺灣儀器科技研究中心4件(12.5%)及國家地震工程研究中心2件(6.25%) (詳表2)。
表1 114年度科技計畫國家實驗研究院購置逾1千萬科學儀器表
單位：新台幣千元
科技計畫名稱
申請單位
科學儀器名稱
價格
基礎科學研究計畫
臺灣半導體
研究中心
冰水機
16,500
製程廢氣處理設備
16,000
打造台灣高階光學與半導體自主之精密光學系統研發基地計畫
臺灣儀器科技
研究中心
大口徑自由曲面拋光機
25,000
大口徑自由曲面表面形貌檢測系統(非接觸式)
70,000
大口徑透鏡定心機
15,000
前瞻晶片設計製造環境建置
臺灣半導體
研究中心
前段閘極與多層金屬連線平坦化系統
95,000
金屬薄膜蝕刻系統
35,000
高密度奈米孔洞微縮Track
45,000
下世代半導體基礎核心設施建置
臺灣半導體
研究中心
可變形束電子束光罩製作曝光機
270,670
高密度電漿輔助式化學氣相沈積
32,420
離岸風機結構智慧防災監測平台建置
國家地震工程
研究中心
地工離心機系統
505,186
風機葉片測試系統
98,000
晶片驅動-晶創海外基地培育國際人才與先進製程IC設計人才培育計畫
臺灣半導體
研究中心
前瞻製程IC設計儲存伺服器
170,000
前瞻製程IC設計運算伺服器
200,000
晶片驅動-全台半導體相關軟硬體建置與資源共享計畫
臺灣半導體
研究中心
3D高深寬比孔徑濺鍍機
127,500
Ti/Cu種晶層蝕刻機
16,000
UBM電鍍機
10,700
光阻與特化物處理系統
80,000
冰水機
28,000
前段清洗設備
70,000
可變形束胞元投影式電子束微影系統
809,500
多腔式金屬介電層乾式蝕刻系統
200,000
晶圓細緻研磨機
10,000
臺灣儀器科技
研究中心
極紫外光源激發控制模組
23,500
臺灣半導體
研究中心
無塵室外氣空調箱
22,000
無塵室空調循環風機濾網設備
30,000
製程廢水處理系統
31,000
銅金屬化學機械研磨系統
80,000
高均勻性水平爐管系統
95,000
高均勻性高密度電漿化學氣相沉積系統
130,000
高填洞力接觸孔金屬沉積系統
120,000
高解析原子尺度驗證系統
145,000
合計
3,621,976
說 明：「基礎科學研究計畫」中購置之「冰水機」及「製程廢氣處理設備」，「晶片驅動-全台半導體相關軟硬體建置與資源共享計畫」之「冰水機」、「無塵室外氣空調箱」、「無塵室空調循環風機濾網設備」及「製程廢水處理系統」均屬於廠務維運設備，非半導體製程相關機台。
資料來源：彙整自國科會提供114年度各科技計畫書。
表2 114年度科技計畫國家實驗研究院購置逾1千萬科學儀器數量及金額表 單位：件；%；新台幣千元
申請單位
數量
(A)
數量占比
(A/總數量)
金額
(B)
金額占比
(B/總金額)
臺灣半導體研究中心
26
81.25
2,885,290
79.66
臺灣儀器科技研究中心
4
12.50
133,500
3.69
國家地震工程研究中心
2
6.25
603,186
16.65
總計
32
100.00
3,621,976
100.00
資料來源：彙整自國科會提供114年度各科技計畫書。
(二)臺灣半導體研究中心購置成本逾1千萬元之貴重儀器，半數稼動率未達8成，允宜持續提升設施之使用率，以利資源共享
據國研院統計110年度至113年7月止該院及臺灣半導體中心購置成本1千萬元以上之貴重儀器使用情形，110年度國研院稼動率未達8成之比率為50%，逐年下降至113年度7月28.05%，同時期臺灣半導體中心稼動率未達8成之比率自68.89%下降至42.55%，皆概呈逐年改善趨勢；惟整體而言，110年度至113年7月臺灣半導體中心購置之貴重儀器逾半數使用率未達8成。另逐年觀察使用情形，國研院110年度稼動率未達8成之設施計45件，其中臺灣半導體中心即佔30件，占比近7成(30/45=68.89%)，至113年度7月占比甚至上升高達近9成(20/23=86.96%)，顯示國研院稼動率未達8成之設施近9成為半導體中心所購置(詳表3)。鑒於國研院114年度購置多項成本逾1千萬元之貴重儀器，其中8成為臺灣半導體中心所購置，惟近年該中心購置成本逾1千萬元之貴重儀器半數稼動率未達8成，允宜與產學研界密切合作，提升貴重儀器之使用，俾發揮設施購置效益。
綜上，為持續增進我國科學研究量能及維持半導體優勢地位，國研院每年度預算均編列購置多件成本逾1千萬之貴重儀器，支援國內產學研界進行科學研究任務，惟臺灣半導體中心購置成本逾1千萬元之貴重儀器半數稼動率未達8成，允宜與產學研界密切合作，研謀提升貴重儀器之使用，俾發揮設施購置效益以利資源共享。
表3 110年度至113年7月國研院及半導體中心逾1千萬元貴重儀器使用情形表 單位：件；%
年度
單位
設施件數
(A)
稼動率未達80%設施件數(B)
占比
(B/A)
110
國研院
90
45
50.00
臺灣半導體中心
45
31
68.89
111
國研院
90
30
33.33
臺灣半導體中心
45
20
44.44
112
國研院
82
27
32.93
臺灣半導體中心
45
22
48.89
113(7月)
國研院
82
23
28.05
臺灣半導體中心
47
20
42.55
合計
國研院
344
125
36.34
臺灣半導體中心
182
93
51.10
說 明：稼動率＝使用總時數/可使用總時數*100%。
資料來源：國研院提供。